Lei Jun nos muestra el interior del Xiaomi Mi 9, demostrando una vez más que sus componentes son de gran calidad

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Lei Jun, CEO de Xiaomi ha mostrado en Weibo una serie de imágenes que nos dejan ver al completo las diversas partes y componentes de calidad con los que cuenta el nuevo Xiaomi Mi 9. Con ello, Lin Bin nos quiere hacer ver que prácticamente cualquier chips hardware de su interior está fabricado por marcas de calidad.

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En concreto, en el repaso que haremos a continuación del interior del Xiaomi Mi 9, podremos darnos cuenta que gran parte de sus componentes hardware están fabricados por empresas reconocidas como Qualcomm, Samsung, SONY o SK Hynix. Sin duda, una prueba más, que nos garantiza que aunque el nuevo buque insignia de Xiaomi tenga un precio bastante reducido, este no deja de integrar componentes de gran calidad.

Protección contra polvo y salpicaduras

Una vez desmontada la parte posterior del Xiaomi Mi 9, nos encontramos con una gran superficie fabricada en grafito cuyo objetivo es disipar calor y una gran bobina de carga inalámbrica que utiliza nano cristal de 5 capas y tecnología de devanado de múltiples hebras, la cual nos permite carga el dispositivo con una potencia de hasta 20W, garantizando una carga completa en apenas 90 minutos.

En la imagen superior, concretamente en la tercera fotografía de su interior, Lin Bin nos muestra diversas partes de su interior, donde destaca su sellado que permite darle una protección extra a prueba de partículas de polvo y salpicaduras. Además, sus cuatro esquinas han sido reforzadas con el fin de reducir de forma efectiva la deformación del terminal frente a caídas.

Componentes de calidad de SONY, Qualcomm y Samsung

En la primera fotografía de la imagen superior nos encontramos el módulo posterior de triple cámara, así como su protector de lente fabricado en zafiro. Lin Bin destaca sus sensores SONY IMX586, SONY IMX481 y Samsung S5K3M5. En la segunda fotografía se puede apreciar los chips Qualcomm SMB1390, Qualcomm PM855 encargado de la administración de energía, Qorvo QM56023 amplificador de potencia, Qualcomm WCN3998 encargado de suministrar energía al chip WiFi y Bluetooth y un último chip IDT P9382A. A su vez, en la última fotografía podemos apreciar el potente procesador Snapdragon 855, su memoria RAM SK Hynix LPDDR4, así como sus diversos chips encargados del NFC, WiFi y Bluetooth.

En la primera fotografía de la siguiente imagen podemos ver el nuevo altavoz SLS 1217 y su gran cavidad sonora que permite acentuar sus graves y la intensidad de su volumen. En la segunda imagen nos encontramos con el conector USB Tipo C resistente al polvo y a la corrosión y el chip Cirrus Logic encargado de amplificar la potencia de audio. Por último, Lin Bin nos muestra el nuevo sensor de huellas bajo pantalla de quinta generación, capaz desbloquear el terminal móvil hasta un 25% más rápido y garantizar su funcionamiento óptimo en ambientes de alta iluminación y baja temperatura.

vía | Weibo

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